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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HVV1214-100 | L-BandRadarPulsedPowerTransistor1200-1400MHz,200關sPulse,10DutyForGroundBasedRadarApplications 文件：829.52 Kbytes Page：5 Pages | HVVIHVVi Semiconductors, Inc. HVVi Semiconductors, Inc. |  |   |
L-BandRadarPulsedPowerTransistor1200-1400MHz,200關sPulse,10DutyForGroundBasedRadarApplications 文件：829.52 Kbytes Page：5 Pages | HVVIHVVi Semiconductors, Inc. HVVi Semiconductors, Inc. | | | |
L-BANDRADARAPPLICATIONSRF&MICROWAVETRANSISTORS DESCRIPTION TheAM1214-100deviceisahighpowerClassCtransistorspecificallydesignedforL-BandRadarpulseddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYGEOMETRY ■METAL/CERAMICHERMETICPACKA | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | | |
RadarPulsedPowerTransistor Features •NPNsiliconmicrowavepowertransistors •Commonbaseconfiguration •BroadbandClassCoperation •Highefficiencyinter-digitizedgeometry •Diffusedemitterballastingresistors •Goldmetallizationsystem •Internalinputandoutputimpedancematching •Hermeticmetal/cerami | MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc. |  | | |
RadarPulsedPowerTransistor100W,1.2-1.4GHz,2msPulse,20Duty 文件：145.52 Kbytes Page：3 Pages | MACOM Tyco Electronics |  | |
HVV1214-100产品属性
- 类型
描述
- 型号
HVV1214-100
- 制造商
HVVI
- 制造商全称
HVVI
- 功能描述
L-Band Radar Pulsed Power Transistor 1200-1400 MHz, 200μs Pulse, 10% Duty For Ground Based Radar Applications
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
23+ |
插件 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
AI |
23+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
DALE |
23+ |
65480 |
|||||
AI |
1922+ |
SMD |
90000 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
AI |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
SKYWORKS/ALPHA/AI |
2008++ |
SMD |
9200 |
新进库存/原装 |
|||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
车规-碳膜电阻 |
2416 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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2019-12-15
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