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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAON3814usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi

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罗姆罗姆半导体集团

ROHM

High-performance5.1chelectronicvolume

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ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2024-4-26 22:58:01
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