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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
A5807	BROADBAND:RF&WIRELESS RF,HFC&CATVAPPLICATIONS PluseoffersacomprehensivelineofRFmagneticcomponentsforuseinwirelessandRFapplications, includingmobilecommunications,cabletelevision,hybridfiber/coax(HFC)equipment,cablemodems,set-topboxes,andhomenetworking.Thecomponentsareal	pulse Pulse Electronics
ACE5807B	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE5807BcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications.StandardProductACE5807BisPb-free. Features •VDS(V)=-12V •ID=-16A •RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE5807BMN+H	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE5807BcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications.StandardProductACE5807BisPb-free. Features •VDS(V)=-12V •ID=-16A •RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.
AFE5807	FullyIntegrated,8-ChannelUltrasoundAnalogFrontEndwithPassiveCWMixer,1.05nV/rtHz,12-Bit,80MSPS,117mW/CH 文件：1.09198 Mbytes Page：71 Pages	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
AFE5807	FullyIntegrated,8-ChannelUltrasoundAnalogFrontEndwithPassiveCWMixer,1.05nV/rtHz,12-Bit,80MSPS,117mW/CH 文件：1.16731 Mbytes Page：75 Pages	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)

HS-5807供应商更多...

更新时间：2024-5-10 11:16:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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艾睿国际（香港）有限公司	A5813	AVAGO/安华高	2021+	BGA	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市特顺芯科技有限公司	A5817SEB	ALLEGRO		PLCC	208		询价

HS3001
HS3001
2023-6-13
HS6T24SA 拇指操纵杆，2 - 轴数字（机械开关）输出
HS6T24SA
2023-3-20
HS6222
HS6222,红外遥控编码电电路，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-14
HS6221
HS6221,红外遥控编码电电路，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-14
HS4-3282-8 原装特价销售
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2020-6-4
HS-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3