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RadiationHardenedPowerMOSFETSurfaceMount(SupIR-SMD™)200V,56A,N-channel,R6Technology

Features Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90MeV·cm2/mg) LowRDS(on) Lowtotalgatecharge Simpledriverequirements Hermeticallysealed Ceramicpackage Lightweight Surfacemount ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplication

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SimpleDriveRequirements

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RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(Low-OhmicTO-254AA)

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RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACE-MOUNT(SMD-2)

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更新时间:2024-5-27 15:02:01
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专注配单,只做原装进口现货
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