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SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT

SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETESmonolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–C

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

400V,23AN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

20A竊?00VN-CHANNELMOSFET

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KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

N-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

400V,20AN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
更新时间:2024-5-28 19:36:01
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