HIP6603BECB-T芯片数据手册原装现货专卖瑞萨-IC资料网

您好,欢迎来到114ic资料网！

114ic电子网登录注册

芯片资料

芯片资料
库存查询
行业新闻
生产厂家
替换型号
晶体管

型号	功能描述	生产厂家&企业
HIP6603BECB-T	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘包装：管件描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
6603	PHASESHIFTERDCTO2,4AND8GHZ,COAXIALHIGHPOWER FEATURES •TypeNConnectorsStandard •OptionsfromDCto8Ghz •HighPower,TromboneStyleCoaxialStructure •MilitaryGradeMaterialsandProcessing •-40to+125ºCOperatingTemperatureRange	FILTRONICFiltronic Compound Semiconductors Filtronic Compound Semiconductors
6603	PHASESHIFTERDCTO2,4AND8GHz,COAXIALHIGHPOWER 文件：175.77 Kbytes Page：3 Pages	APITECH API Technologies Corp
ADRF6603	1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO 文件：834.01 Kbytes Page：32 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADRF6603	2100MHzto2600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO 文件：504.01 Kbytes Page：24 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADRF6603-EVALZ	2100MHzto2600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO 文件：504.01 Kbytes Page：24 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HIP6603BECB-T产品属性

类型
描述
型号
HIP6603BECB-T
功能描述
IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC
RoHS
否
类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
50
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
40ns 电流 -
峰
9A
配置数
1
输出数
1 高端电压 -
最大（自引导启动）
-
电源电压
4.5 V ~ 35 V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA
供应商设备封装
TO-263
包装
管件

HIP6603BECB-T供应商更多...

更新时间：2024-5-21 11:06:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市环球伟业电子有限公司	HIP6603BECB-T	Intersil/Intersil	21+	SOP8	1000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	HIP6603BECB-T	INTERSIL	22+	原装	2300	绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电!	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	HIP6603BECBZ-T	INTERSIL	22+	SOP8	20000	大量原装现货,特价甩卖!	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	HIP6603BECBZ	Intersil	21+	8SOICEP	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市瑞祥辉半导体有限公司	HIP6603BECB-T	Intersil	2318+	SOIC-8	6890	长期供货进口原装热卖现货	询价
深圳市天成基业科技有限公司	HIP6603BECB-T	INTERSIL	20+/21+	SOP20	3560	全新原装进口诚信经营	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	HIP6603BECB-T	INTERSIL	06+07+	SOP-8	560		询价
深圳市华斯顿科技有限公司	HIP6603BECB-T	INTERSIL	22+23+	SOP20	52358	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	HIP6603BECB-T	INTERSI	2016+	SOP20	6528	只做进口原装现货!假一赔十!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HIP6603BECBZ	Intersil	22+	8SOICEP	9000	原厂渠道,现货配单	询价

HIP6603BECB-T芯片相关品牌

HIP6603BECB-T规格书下载地址

HIP6603BECB-T参数引脚图相关

HIP6603BECB-T数据表相关新闻

Hirose、TE.JST、JAE、AMP等品牌原装进口连接器材！
Hirose、JST、JAE、AMP、等品牌原装进口连接器材！
2021-9-17
HISILICON海思 HI3519ARFCV100
HISILICON海思HI3519ARFCV100
2020-8-28
HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3
HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-3
HIP6521-PWM和三线性电源控制器
PWM和三线性电源控制器该HIP6521提供了电源控制和保护四在高性能微处理器的输出电压与计算机应用。该IC集成了voltagemodePWM控制器和三线性控制器，以及到一个16引脚SOIC监测和保护功能包。PWM控制器是为了规范内存与微处理器核心电压synchronousrectified降压转换器。拟线性控制器规范计算机系统的AGP总线1.5V的电源，时钟2.5V的电源，并为北/南1.8V电源大桥的核心电压和/或高速缓存存储器电路。无论是开关稳压器与线性电压基准提供±2行以上，负载静态调节％，温度范围。所有输出是用户可调的手段外部电阻分压器。所有的线性控制器采用
2013-2-20

您好,欢迎来到114ic资料网！

HIP6603BECB-T产品属性

HIP6603BECB-T供应商更多...

HIP6603BECB-T芯片相关品牌

HIP6603BECB-T规格书下载地址

HIP6603BECB-T参数引脚图相关

HIP6603BECB-T数据表相关新闻

Hirose、TE.JST、JAE、AMP等品牌原装进口连接器材！

HISILICON海思 HI3519ARFCV100

HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器

HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器

HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器

HIP6521-PWM和三线性电源控制器

DdatasheetPDF页码索引