位置：首页 > IC中文资料第1696页 > HIP2500IB96
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HARRIS |  |   | ||
HARRIS | | | ||
INTERSIL |  | | ||
HAR | | | ||
HAR |  | | ||
HAR |  | | ||
HAR |  | | ||
HAR |  | |
HIP2500IB96产品属性
- 类型
描述
- 型号
HIP2500IB96
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HARRIS/哈里斯 |
22+ |
SOP16 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
HAR |
22+ |
SOP16 |
47664 |
郑重承诺只做原装进口货 |
|||
HARRIS |
21+ |
SOP |
35200 |
一级代理/放心采购 |
|||
23+ |
N/A |
64910 |
正品授权货源可靠 |
||||
HARRIS |
23+ |
SOP |
2000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
HARRIS/哈里斯 |
21+ |
SOP-16 |
6000 |
原装正品 |
|||
HARRIS |
21+ |
SOP |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
HARRIS |
2020+ |
SOP |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
HARRIS |
20+ |
SOP |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
HARRIS/哈里斯 |
SOP16 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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HIP2500IB96数据表相关新闻
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2020-10-30HIP2101IB贴片SOP-8门驱动器的功能
HIP2101IB贴片SOP-8门驱动器的功能
2020-2-8HIP4080-80V/2.5A峰值，高频全桥FET驱动器
说明该HIP4080是一个高频率，中压全桥N沟道场效应管驱动IC，在20个铅可用塑料SOIC和DIP封装。该HIP4080包括输入比较器，用于促进“滞后“和PWM工作模式。它的母鸡（高启动）铅可以强制电流飞轮在底部的两个外部功率MOSFET，保持上功率MOSFET关闭。因为它可以切换频率高达1MHz的，是非常适合的HIP4080音圈马达驱动，D类高频开关音频开关放大器放大器和电源。HIP4080也可以驱动中压刷马达，二HIP4080s可用于驱动高性能步进马达，因为短期最低“上的时间“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍，可以调整到接近零，
2013-3-4HIP2100-100V/2A山顶，低成本，高频率的一半桥驱动器
100V/2A山顶，低成本，高频率半桥驱动该HIP2100是一个高频率，100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路，可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制，并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手，高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。特点•驱动N沟道MOSFET半桥•
2013-3-4HIP5010-为7V，17A条SynchroFET⑩互补驱动同步半桥
为7V，17A条SynchroFET™互补永磁同步半桥设计采用P6和奔腾®记住，Intersil的SynchroFET™系列提供了一种新途径实施同步整流降压开关稳压器。该SynchroFET取代两间电力DMOSs，肖特基二极管，两个栅极驱动器和同步控制电路。该互补驱动电路的开启和场效应管上较低的FET关断时，由PWM输入为高。当由PWM输入变为低上部场效应管熄灭，较低的FET导通。该HIP5011有一个PWM引脚，反转从到相输入的关系。这种架构允许设计人员利用一个低成本的单端PWM在任何一个控制器电流或电压模式配置。该SynchroFET工作
2013-3-3HIP1020-双或三输出热插拔控制器
HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V，5V和12V的MOSFET的任意组合。内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时，需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di/dt限制。如果一个较慢的速度是必需的，内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC=12V，电荷泵的坡道上的电压从零到22VHGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时，高边开关为12V电源控制。“LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5VM
2013-1-6
DdatasheetPDF页码索引
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