HIP2101EIBZ价格

参考价格:¥11.9801

型号:HIP2101EIBZ 品牌:Intersil 备注:这里有HIP2101EIBZ多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,HIP2101EIBZ批发/采购报价,HIP2101EIBZ行情走势销售排行榜,HIP2101EIBZ报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HIP2101EIBZ

100V/2APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

TheHIP2101isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverIC.ItisequivalenttotheHIP2100withtheaddedadvantageoffullTTL/CMOScompatiblelogicinputpins.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto13ns.Thisgivesuserstota

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HIP2101EIBZ

100V/2APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

TheHIP2101isahighfrequency,100VHalfBridge N-ChannelpowerMOSFETdriverIC.Itisequivalenttothe HIP2100withtheaddedadvantageoffullTTL/CMOS compatiblelogicinputpins.Thelow-sideandhigh-sidegate driversareindependentlycontrolledandmatchedto13ns. Thisgivesusers

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HIP2101EIBZ

100V/2APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

TheHIP2101isahighfrequency,100VHalfBridge N-ChannelpowerMOSFETdriverIC.Itisequivalenttothe HIP2100withtheaddedadvantageoffullTTL/CMOS compatiblelogicinputpins.Thelow-sideandhigh-sidegate driversareindependentlycontrolledandmatchedto13ns. Thisgivesusers

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HIP2101EIBZ

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
HIP2101EIBZ

100V/2APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

100V/2APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

TheHIP2101isahighfrequency,100VHalfBridge N-ChannelpowerMOSFETdriverIC.Itisequivalenttothe HIP2100withtheaddedadvantageoffullTTL/CMOS compatiblelogicinputpins.Thelow-sideandhigh-sidegate driversareindependentlycontrolledandmatchedto13ns. Thisgivesusers

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

100V/2APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver

TheHIP2101isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverIC.ItisequivalenttotheHIP2100withtheaddedadvantageoffullTTL/CMOScompatiblelogicinputpins.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto13ns.Thisgivesuserstota

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

One-wayflowcontrolvalve

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FESTOFesto Corporation.

费斯托公司德国FESTO费斯托(中国)有限公司

FESTO

InsertMoldedCoil

文件:51.89 Kbytes Page:1 Pages

FRONTIER

Frontier Electronics

FRONTIER

HIGHSPEEDSMTMAGNETICMODULES

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XFMRS

XFMRS,Inc.

XFMRS

Fieldbus,2Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG

文件:256.45 Kbytes Page:3 Pages

BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN

HighCurrentToroidInductors

文件:111.85 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

HIP2101EIBZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HIP2101EIBZ

  • 功能描述

    功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-6 9:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Intersil
21+
8SOICEP
13880
公司只售原装,支持实单
INTERSIL
2016+
SOP8
6523
只做进口原装现货假一赔十!
INTERSIL
24+
SOP8
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
Renesas Electronics America In
21+
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)裸露
6000
正规渠道/品质保证/原装正品现货
INTERSIL
22+
SOP8
360000
进口原装自己库存实库实数
Intersil
2023+
8-SOIC
980
安罗世纪电子只做原装正品货
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
Intersil
19+
8-SOIC-EP
56800
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票!
INTERSIL
23+
SOP8
20000
原厂原装正品现货
Intersil
22+
8SOICEP
9000
原厂渠道,现货配单

HIP2101EIBZ芯片相关品牌

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  • ASTRODYNE
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    2020-2-8
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    说明该HIP4080是一个高频率,中压全桥N沟道场效应管驱动IC,在20个铅可用塑料SOIC和DIP封装。该HIP4080包括输入比较器,用于促进“滞后“和PWM工作模式。它的母鸡(高启动)铅可以强制电流飞轮在底部的两个外部功率MOSFET,保持上功率MOSFET关闭。因为它可以切换频率高达1MHz的,是非常适合的HIP4080音圈马达驱动,D类高频开关音频开关放大器放大器和电源。HIP4080也可以驱动中压刷马达,二HIP4080s可用于驱动高性能步进马达,因为短期最低“上的时间“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍,可以调整到接近零,

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    2013-3-4
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    2013-1-7
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    HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V,5V和12V的MOSFET的任意组合。内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时,需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di/dt限制。如果一个较慢的速度是必需的,内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC=12V,电荷泵的坡道上的电压从零到22VHGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时,高边开关为12V电源控制。“LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5VM

    2013-1-6