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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HCTS02D | Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate Description TheIntersilHCTS02MSisaRadiationHardenedQuad2-InputNORGate.AlowonbothinputsforcestheoutputtoaHighstate. TheHCTS02MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicF | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  |   |
HCTS02D | Radiation Hardened Quad2-Input NOR Gate Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012Rads(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Latc | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate Description TheIntersilHCTS02MSisaRadiationHardenedQuad2-InputNORGate.AlowonbothinputsforcestheoutputtoaHighstate. TheHCTS02MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicF | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | | |
Radiation Hardened Quad2-Input NOR Gate Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012Rads(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Latc | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
HCTS02D产品属性
- 类型
描述
- 型号
HCTS02D
- 制造商
INTERSIL
- 制造商全称
Intersil Corporation
- 功能描述
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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H |
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CDIP |
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