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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H5N2004DL-E | SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.38Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=200V) •Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) •Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) •Avalancheratings | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.38Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=200V) •Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) •Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) •Avalancheratings | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：1.42322 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | |
H5N2004DL-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
H5N2004DL-E
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-251 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
RENESAS瑞萨/HITACHI日立 |
2008++ |
TO-252 |
6600 |
新进库存/原装 |
|||
RENESAS |
21+ |
TO-251 |
100 |
原装现货假一赔十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-251 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳飞弛宏科技有限公司是一家专业集成电路及电子零配件服务型企业。成立于2012年，是电子元器件找货专家，强大的供应商数据库，整合全球优质资源，多名经验丰富的元器件采购尽最大的可能帮助您找到您想要的元件。全球1500多家代理商及独立分销商，1000多万条库存，链接您的需求，优化您的渠道，更有代理商清库特价货源和OE
2019-9-25H5MS2G62
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2019-9-25
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