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GW40NC60KD

600V,40Ashort-circuitruggedIGBT

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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N-channel40A-600V-TO-247VeryfastswitchingPowerMESHIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™processresultinginanexcellenttrade-offbetweenswitchingperformanceandlowon-statebehavior. Features ■LowCRES/CIESratio(nocrossconductionsusceptibility) ■IGBTco-packagedwithultrafastfree-wheelingdiode

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N-CHANNEL50A-600V-TO-247VeryFastPowerMESHIGBT

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N-CHANNEL600V-0.098ohm-40AISOTOPPowerMesh?줚IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.

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N-channel600V-50A-Max247VeryfastPowerMESH??IGBT

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更新时间:2024-5-27 18:06:00
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