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GW100N30

90A-330V-fastIGBT

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverters ·Batterychargers ·DCchoppers ·Lowvoltagerelays

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

90A-330V-fastIGBT

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

RECTRON

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-6-3 18:33:00
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