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位置：首页 > IC中文资料第1948页 > GT50J325

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
GT50J325

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •FourthgenerationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) •Highspeed:tf=0.05μs(typ.) •Lowswitchingloss:Eon=1.30mJ(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
GT50J325

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
GT50J325

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

文件：198.55 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
GT50J325_06

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

文件：198.55 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

GT50J325产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT50J325

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3PIN TO-3P(LH) - Trays

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    IGBT 600V TO-3P(LH)

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    IGBT, 600V, TO-3P(LH)

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    IGBT, 600V, TO-3P(LH); Transistor

  • Type

    IGBT; DC Collector

  • Current

    50A; Collector Emitter Voltage

  • Vces

    2.45V; Power Dissipation

  • Pd

    240W; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo

    600V; Operating Temperature

  • Min

    -55C; No. of

  • Pins

    3 ;RoHS

  • Compliant

    Yes

GT50J325供应商更多...

更新时间：2024-6-1 14:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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GT50J325
tos
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GT50J325
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GT50J325
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