型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
GT50J121(Q)

封装/外壳:TO-3PL 包装:管件 描述:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) •Highspeed:tf=0.05μs(typ.) •Lowswitchingloss:Eon=1.30mJ(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

GT50J121(Q)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT50J121(Q)

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V/50A DIS

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-6 19:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
TO3PL
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
TOSHIBA
2017+
NA
28562
只做原装正品假一赔十!
INFINEON
100
原装现货,价格优惠
TOSHIBA
23+
TO-264
3000
全新原装
TOS
11
TO-3P
6000
绝对原装自己现货
TOS
2020+
TO-3PL
985000
100%进口原装正品公司现货库存
TOSHIBA/东芝
23+
TO-3PL
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
TOSHIBA
23+
TO-3PL
6500
全新原装假一赔十
TOS
23+
TO-3P
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23+
TO-3P
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