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GD25PJX120L3S-ISGM2002

IGBTModule

FEATURES ·Lowswitchinglosses ·Lowvce(sat)withpositivetemperaturecoefficient ·Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ·Lowinductancecase ·Highshortcircuitcapability(10us) ·IsolatedheatsinkusingDBCtechnology ·Maximumjunctiontemperature175℃ APPLICATIONS ·I

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-5-15 20:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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