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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
AvalancheEnergySpecified DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 | |||
N-ChannelPowerMOSFET 文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 | |||
N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET 文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 |
FQD6N60CTM_WS产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQD6N60CTM_WS
- 功能描述
MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NIKOS |
23+ |
NA/ |
15000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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21+ |
FBGA |
40 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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UTC/友顺 |
22+ |
TO-220F |
9850 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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华晶 |
TO-220F |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
F |
23+ |
TOP220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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TO-220F |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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WVISHAYCOM/DOCS//CMFMILPDF |
ohm100PPMdc300w/4D37l87 |
20000 |
全新原装现货 样品可售 |
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UTC/友顺 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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FAIRCHILD/华 |
23+24 |
TO220F |
96580 |
主营:存储.逻辑.放大.电源.接口.驱动.充电. 功放IC. |
|||
INFINEON? |
2020+ |
TO-220 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
FQD6N60CTM_WS规格书下载地址
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FQD1N80TM,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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FQD7P20TM,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-29
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