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位置：首页 > IC中文资料第3876页 > FMH23N50E

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FMH23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FMH23N50E,Marking:23N50E Features 1.Maintainsbothlowpowerlossandlownoise 2.LowerRDS(on)characteristic 3.Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance 4.SmallerVGSringingwaveformduringswitching 5.Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V)

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
FMH23N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：268.91 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FMH23N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(4.2±0.5V) Highavalanchedurability Applications

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applications

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(4.2±0.5V) Highavalanchedurability Applications

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(4.2±0.5V) Highavalanchedurability Applications

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FMH23N50E,Marking:23N50E Features 1.Maintainsbothlowpowerlossandlownoise 2.LowerRDS(on)characteristic 3.Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance 4.SmallerVGSringingwaveformduringswitching 5.Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V)

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
23N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：345.38 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FMH23N50E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMH23N50E

  • 制造商

    Fuji Electric

  • 功能描述

    IC,MOSFET; N-Channel,FAP-E3 Planar; 500V; 23A; 315W; TO-3P(Q)

FMH23N50E供应商更多...

更新时间：2024-5-14 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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