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FIR2N25BLG

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

TMOSPOWERFET2.0AMPERES250VOLTS

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MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

HighEnergyPowerFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-6-14 16:39:00
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