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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FIR2N10LTG | N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件:3.42734 Mbytes Page:7 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)125mΩ ID14A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementMOSFET Features •VDS=100V,ID=2A •RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V(Typ.) •RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V(Typ.) •HighPowerandcurrenthandingcapability •Leadfreeproductisacquired •SurfaceMountPackage MainApplications •BatteryProtection •LoadSwitch •PowerManagement | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司 | |||
DrainCurrentID=2A@TC=25C 文件:65.05 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件:357.81 Kbytes Page:6 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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F |
2020+ |
T0-220F |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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FIRST/福斯特 |
22+ |
TO220F |
1935 |
原装现货假一赔十 |
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FIRST/福斯特 |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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FIRST福斯特 |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
22820 |
原装正品,支持实单 |
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FIRST/福斯特 |
2048+ |
TO-220220F/251/252 |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
FIRST(福斯特) |
20+ |
TO-252-2(DPAK) |
2500 |
||||
VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
T0-220FP |
3001 |
原装现货假一赔十 |
|||
JIRST |
2048+ |
TO-252-5L |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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FIRST |
TO220F |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
||||
FIRST |
24+25+/26+27+ |
TO-251-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
FIR2N10LTG规格书下载地址
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2023-4-12FIN1049MTCX
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2021-1-4FJB102TM,只售原装现货,上了就有找兴中扬电子
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2019-11-30FIN1001
原装现货
2019-9-6FIR7NS65AF
FIR7NS65AF,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-12
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