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FGS15N40LTF	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGS15N40LTF	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：管件描述：IGBT 400V 2W 8SOP 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
15N40	15A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N40isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalan	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
FDP15N40	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP15N40	N-ChannelMOSFET400V,15A,0.3廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
15N40K-MT	N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：211.09 Kbytes Page：5 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
DAM15N40S	N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：256.149 Kbytes Page：4 Pages	DACO DACO

FGS15N40LTF产品属性

类型
描述
型号
FGS15N40LTF
功能描述
IGBT 晶体管 N-Ch/400V/130A
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-29 15:48:00

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