型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGPF30N30TTU

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 300V 44.6W TO220F 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description AP30N30fromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-3Ppackageispreferredforcommercial&industrialapplicationswithhigherpowerlevelpreclusionthanTO-220device. ▼100AvalancheTes

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description AP30N30fromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-3PFfullpackeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications. ▼100AvalancheTest ▼SimpleDri

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER

PanelsandPanelAccessories

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PENTAIRPentair plc. All rights reserved.

滨特尔滨特尔集团

PENTAIR

PanelsandPanelAccessories

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PENTAIRPentair plc. All rights reserved.

滨特尔滨特尔集团

PENTAIR

PERFORATEDPANELS

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

FGPF30N30TTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGPF30N30TTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 300V 30A PDP Trench IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
5171
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存
Fairchild仙童
22+
TO-220F
25000
只做原装进口现货,专注配单
FAIRCHILD
2020+
TO-220
5000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-220F
5623
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
FAIRCHILD
21+
TO-220F
400
原装现货假一赔十
Fairchild/ON
21+
TO220F
13880
公司只售原装,支持实单
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220F
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
FAIRCHILD
23+
TO-220F
3801
原厂原装正品
FAIRCHILD/仙童
2048+
TO-220
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
FAIRCHILD
09+
TO-220F
1301
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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