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LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT

ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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ISC

IGBT

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MicrosemiMicrosemi Corporation

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Microsemi
更新时间:2024-5-19 22:17:01
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