位置:首页 > IC中文资料第3330页 > FGD2N40
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FGD2N40 | 400VN-ChannelLogicLevelIGBT 文件:224.98 Kbytes Page:6 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
400VN-ChannelLogicLevelIGBT 文件:224.98 Kbytes Page:6 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 400V 7A 29W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
2A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件:175.18 Kbytes Page:5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
2Amps,400VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件:178.48 Kbytes Page:6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件:1.08604 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
GERMANIUMPNPTRANSISTORS 文件:2.44311 Mbytes Page:6 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |
FGD2N40产品属性
- 类型
描述
- 型号
FGD2N40
- 功能描述
IGBT 晶体管 400V N-Channel Logic Level
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHI |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
23+ |
N/A |
46290 |
正品授权货源可靠 |
||||
FAIRCHILD |
2023+ |
SOT-252 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252(DPAK) |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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Fairchild/ON |
21+ |
DPak |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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FAI |
22+23+ |
TO252 |
73632 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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FAI |
2018+ |
TO252 |
6528 |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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FAIRCHILD |
08+(pbfree) |
TO-252(DPAK) |
8866 |
||||
FAI |
1845+ |
TO252 |
5790 |
只做原装!量大可以订货!特价支持实单! |
FGD2N40规格书下载地址
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2020-6-29
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