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FGA90N30TU

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 300V 90A 219W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

300VPDPIGBT

Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30provideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30offerstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features •HighCurrentCapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC=

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

300VPDPIGBT

Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30Dprovideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30DofferstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features •HighCurrentCapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC

FairchildFairchild Semiconductor

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Fairchild

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:242.81 Kbytes Page:4 Pages

DACO

DACO

DACO

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

DACO

DACO

300V,90APDPIGBT

文件:700.37 Kbytes Page:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FGA90N30TU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGA90N30TU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 TBD

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-5 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
21+ROHS
TO-247
110500
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FSC
2020+
TO-3P
210000
100%进口原装正品公司现货库存
FAIRCHILD/仙童
TO-3P
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-3PN
50000
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILD
21+
TO-3P
56000
公司进口原装现货 批量特价支持
Fairchild
07+/08+
TO-3P
450
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
23+
N/A
67000
一级代理放心采购
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
891
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存
Fairchild/ON
22+
TO3P
9000
原厂渠道,现货配单

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