位置：首页 > IC中文资料第3206页 > FGA20S120M
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FGA20S120M | 1200V,20AShorted-AnodeIGBT 文件：795.07 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
FGA20S120M | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 40A 348W TO3PN 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
20.0AmpereSurfaceMountDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司 |  | | |
20.0AmpereInsulatedDualCommonCathodeSuperFastRecoveryRectifiers 文件：280.28 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司 | | | |
SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier 文件：468.12 Kbytes Page：3 Pages |  | | ||
SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier 文件：481.51 Kbytes Page：3 Pages | | |
FGA20S120M产品属性
- 类型
描述
- 型号
FGA20S120M
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V 20A SA FS
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON |
21+ |
TO3PN |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3P |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO3P |
9000 |
原装正品 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
4537 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3P |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
FSC |
2020+ |
TO-3P |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
FAIRCHILD |
22+23+ |
TO-3P |
7939 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
仙童正品 |
21+ROHS |
TO-3PN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FSC/仙童 |
19+ |
TO-3P |
71337 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3P |
2250 |
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票 |
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2020-6-29
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