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FDG6301N-F085

DualN-Channel,DigitalFET

Features •25V,0.22AContinuous,0.65APeak •RDS(ON)=4Ω@VGS=4.5V, •RDS(ON)=5Ω@VGS=2.7V. •VeryLowLevelGateDriveRequirementsallowingDirectop− Erationin3VCircuits(VGS(th)6kVHumanBodyModel) •CompactIndu

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-6-11 17:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ON Semiconductor
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