型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FDD6776A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FDD6776A

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET25V,7.5m廓

文件:337.28 Kbytes Page:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

EnergyEfficient,High-PowerOff-LineSwitcherWithAccuratePrimary-SideRegulation(PSR)

ProductHighlights EcoSmart™-EnergyEffcient •Multi-modecontrolmaximizeseffciencyoverfullloadrange •No-loadconsumptionbelow30mWat230VAC(LNK67xx) •>75effciencywith1Winputat230VAC •>50effciencywith0.1Winputat230VAC HighDesignFlexibilityforLowSystemCost

POWERINTPower Integrations, Inc.

荷兰帕沃英蒂格盛有限公司

POWERINT

Low-Power,1-AccurateBatteryMonitorsin關DFNandSC70Packages

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MaximMaximIntegrated

美信半导体

Maxim

Low-Power,1-AccurateBatteryMonitorsin關DFNandSC70Packages

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MaximMaximIntegrated

美信半导体

Maxim

FDD6776A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD6776A

  • 功能描述

    MOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-15 20:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
1139+
TO-252
2005
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FSC/ON
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原包装原封 □□
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原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存
FAIRCHILD/仙童
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TO252
3000
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
Fairchild
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全新原装优势
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