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F25P03D3

P-ChannelEnhancementMOSFET

Features VDS=-30V,ID=-25A RDS(ON)=9mΩ@VGS=-10V(Typ.) -5VLogicLevelContol 100UIStested MainApplications AutomotiveApplications HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Un-interruptiblePowerSupply

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

唯聖電子唯聖電子有限公司

GWSEMI
更新时间:2024-6-4 18:05:00
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