EPC的成立

EPC 由三位工程师于 2007 年 11 月创立，他们在先进电源管理技术方面拥有 60 年的经验。EPC 的 CEO Alex Lidow 是 1970 年代硅功率 MOSFET 的共同发明者；并且，除了在研发和制造方面担任职位外，还担任了 12 年国际整流器的 CEO。随着时间的推移，EPC 的创始人清楚地认识到，硅已经达到了其性能极限，无法以我们已经习惯的速度推动创新。

EPC 成立之初就预见到 GaN 将成为功率进步中硅的必然继承者，因为它具有无与伦比的速度、效率和低成本。事实上，GaN 具有卓越的晶体特性，与硅相比，性能优势高达 1000:1。

氮化镓晶体管上市

非常可靠且价格合理的 eGaN 晶体管2009 年 6 月，EPC 交付了第一款商用增强型 GaN (eGaN ® ) 晶体管。这些新器件由台湾代工厂制造，旨在生产标准硅集成电路，创建成熟、高效和低成本的供应链，使其 GaN 晶体管非常可靠且价格合理。今天，EPC 提供 100 多种产品，面向 130 亿美元的市场。

GaN 将粉碎硅

60 年来，第一次出现了性能更高、成本更低的硅……氮化镓选项。如今，世界各地的领先公司都与 EPC 合作，以利用 GaN 的力量实现其下一代技术。利用 GaN 的公司可以避免被老化的硅抛在后面，推动销售增长，并提供不断增长