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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ESD112-B1-02EL | TVSDiodesTransientVoltageSuppressorDiodes 1.1Features •ESD/transientprotectionofRFsignallinesaccordingto: –IEC61000-4-2(ESD):±20kV(air/contact) –IEC61000-4-4(EFT):±40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(surge):±3A(8/20μs) •Maximumworkingvoltage:VRWM±5.3V •Extremelylowcapacitance:CL=0.2pF(typical) •Low | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
ESD112-B1-02EL | ULTRALOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4.5A(8/20μs) RoHSCompliant | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 |  | |
ESD112-B1-02EL | TransientVoltageSuppressorDiodes 文件：971.58 Kbytes Page：15 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
TVSDiodesTransientVoltageSuppressorDiodes 1.1Features •ESD/transientprotectionofRFsignallinesaccordingto: –IEC61000-4-2(ESD):±20kV(air/contact) –IEC61000-4-4(EFT):±40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(surge):±3A(8/20μs) •Maximumworkingvoltage:VRWM±5.3V •Extremelylowcapacitance:CL=0.2pF(typical) •Low | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
TVSDiodesTransientVoltageSuppressorDiodes 1.1Features •ESD/transientprotectionofRFsignallinesaccordingto: –IEC61000-4-2(ESD):±20kV(air/contact) –IEC61000-4-4(EFT):±40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(surge):±3A(8/20μs) •Maximumworkingvoltage:VRWM±5.3V •Extremelylowcapacitance:CL=0.2pF(typical) •Low | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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2019-3-29
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