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DTA123JET1

BiasResistorTransistor

BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonol

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
DTA123JET1

PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork

BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonol

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BiasResistorTransistors

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DTA123JET1

封装/外壳:SC-75,SOT-416 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

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封装/外壳:SC-75,SOT-416 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

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BiasResistorTransistors

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DigitalTransistors(BRT)R1=2.2k,R2=47k

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PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork

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DigitalTransistors(BRT)

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DTA123JET1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DTA123JET1

  • 功能描述

    开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性

    NPN/PNP

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    200 mA

  • 最大工作频率

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V

  • 集电极连续电流

    150 mA

  • 功率耗散

    200 mW

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-5-14 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2020+
0603-3
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ON
0243+
SOT523
150
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON
23+
0603-3
20000
原厂原装正品现货
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
ONSEMI/安森美
24+
N/A
860000
明嘉莱只做原装正品现货
ON
6000
面议
19
0603-3
ON
2023+
SOT523
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
ON
17+
SC-75
6000
进口原装正品假一赔十,货期7-10天
ONSEMICONDUCTOR
21+
35200
一级代理/放心采购
onsemi(安森美)
23+
SC-75-3
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

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