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74VHCT08A	QUAD2-INPUTANDGATE DESCRIPTION The74VHCT08Aisanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=4.7ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=2µA(MAX.)atTA=25°C ■COMPATIBLEWITHTTLOUTPU	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
74VHCT08A	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
74VHCT08	Quad2-inputANDgate 文件：595.39 Kbytes Page：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
74VHCT08A	QUAD2-INPUTANDGATE 文件：217.72 Kbytes Page：11 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
74VHCT08A	Quad2-InputANDGate 文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2024-5-2 10:50:01

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