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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SCHOTTKYARRAYS

DESCRIPTION Dedicatedtobustermination,theSchottkyarraysSA12B5,SA16B3andSA16B6minimisestrayemissionsfromPCBtracks.Theyprovidesuitableterminationbyavoidingsignalreflexionsanddistortions. FEATURES ■12-BIT(SA12)OR16-BIT(SA16)DUALSCHOTTKYDIODEARRAYS ■REVERSEVOLT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

PowerMOSFETs60V,16A,N-channel

文件:1.44608 Mbytes Page:7 Pages

SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

新电元(上海)电器有限公司

SHINDENGEN
更新时间:2024-6-5 18:21:01
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