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位置：首页 > IC中文资料第1516页 > CY7C109B-15VXCT

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
CY7C109B-15VXCT

封装/外壳：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路（IC） 存储器

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CYP
CY7C109B-15VC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress
CY7C109B-15VC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress
CY7C109B-15VI

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress
CY7C109B-15VI

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

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Cypress
CY7C109B-15VXC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

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Cypress

CY7C109B-15VXCT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C109B-15VXCT

  • 功能描述

    IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ

  • RoHS

    是

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    移动 SDRAM

  • 存储容量

    256M（8Mx32）

  • 速度

    133MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    1.7 V ~ 1.95 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    90-VFBGA

  • 供应商设备封装

    90-VFBGA（8x13）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 其它名称

    557-1327-2

CY7C109B-15VXCT供应商更多...

更新时间：2024-5-7 11:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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