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CY14B104NA-BA20XI	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104NA-BA20XI	4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104NA-BA20XI	封装/外壳：48-TFBGA 包装：托盘描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA 集成电路（IC）存储器	CYP Cypress Semiconductor Corp
CY14B104NA-BA20XI	4-Mbit(512K횞8/256K횞16)nvSRAM 文件：977.41 Kbytes Page：26 Pages	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104NA-BA20XI	4-Mbit(512K횞8/256K횞16)nvSRAM 文件：991.18 Kbytes Page：24 Pages	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104NA-BA20XI	4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM20ns,25ns,and45nsaccesstimes 文件：961.93 Kbytes Page：25 Pages	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104NA-BA20XIT	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
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CY14B104NA-BA20XIT	4-Mbit(512K횞8/256K횞16)nvSRAM 文件：977.41 Kbytes Page：26 Pages	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104NA-BA20XC	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104NA-BA20XCT	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY14B104NA-BA20XI产品属性

类型
描述
型号
CY14B104NA-BA20XI
功能描述
实时时钟 512KB x 8 nvSRAM
RoHS
否
制造商
Microchip Technology
功能
Clock, Calendar. Alarm RTC
总线接口
I2C
M
Y
MM
SS RTC
存储容量
64 B
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
1.8 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Through Hole
封装/箱体
PDIP-8
封装
Tube

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更新时间：2024-5-11 12:14:00

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