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位置：首页 > IC中文资料第72页 > CPV363M

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
CPV363M4F

IGBTSIPMODULE

Description TheIGBTtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)PowerModules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
CPV363M4KPBF

IGBTSIPModule(ShortCircuitRatedUltrafastIGBT)

DESCRIPTION TheIGBTtechnologyisthekeytoVishay’sHPPadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)powermodules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
CPV363MF

IGBTSIPMODULEFastIGBT

Description TheIGBTtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)PowerModules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
CPV363MK

IGBTSIPMODULEShortCircuitRatedUltraFastIGBT

Description TheIGBTtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)PowerModules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
CPV363MM

IGBTSIPMODULEShortCircuitRatedFastIGBT

Description TheIGBTtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)PowerModules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
CPV363MU

IGBTSIPMODULEUltra-FastIGBT

Description TheIGBTtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)PowerModules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpow

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
CPV363M4K

IGBTSIPMODULE

文件：176.99 Kbytes Page：10 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
CPV363M4K

封装/外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
CPV363M4U

封装/外壳：19-SIP（13 引线），IMS-2 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
CPV363M4U

IGBTSIPMODULE

文件：275.47 Kbytes Page：10 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
CPV363M4UPBF

IGBTSIPModule(UltrafastIGBT)

文件：278.25 Kbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
363

ShieldedCompactRibbon(SCR)Connectors

•CompleteShellKitfor3M™Shielded CompactRibbon(SCR)WiremountPlug (TS-2227).Includesouterbody,innershell, cableclamp,screwsandlatches •360°shieldingforexcellentEMIprotection •Quickreleaselatchsystemforconnection securityandeaseofuse •Integratedstrainrelie

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
363

FlatscrewterminalsHeavy-dutyversionwithgroovedflatterminals,6-pole

文件：122.75 Kbytes Page：1 Pages

WECOWECO Electrical Connectors Inc

威科电子深圳市威科电子连接器有限公司

WECO
363

SilverOxideBatteries

文件：217.19 Kbytes Page：1 Pages

ENERGIZEREnergizer

Energizer

ENERGIZER
363

WihaTORXT-handleWihaT-handleWihaTORXShortArmL-keys

文件：226.24 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
363D

LM363PrecisionInstrumentationAmplifier

文件：452.17 Kbytes Page：22 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

NSC

CPV363M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CPV363M

  • 功能描述

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2

  • RoHS

    否

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    -

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    1.4V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    430A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

    无

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

CPV363M供应商更多...

更新时间：2024-4-28 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
CPV363MF
IR
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module
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IR
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