| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·IndustrialwithhighDCbulkvoltage ·Switching | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
N-ChannelPowerMOSFET 文件：422.85 Kbytes Page：2 Pages | ZPSEMI ZP Semiconductor |  | | |
N-ChannelPowerMOSFET 文件：1.89969 Mbytes Page：4 Pages | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd |  | | |
Plastic-EncapsulateMOSFETS 文件：691.21 Kbytes Page：3 Pages | ZPSEMI ZP Semiconductor | | | |
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：1.50205 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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