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N-ChannelEnhancement

InPowerProductLines

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerMOSFET500V,3.3

文件:124.45 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.0755 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

文件:418.46 Kbytes Page:10 Pages

Samhop

三合微科

Samhop
更新时间:2024-6-5 17:19:01
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