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CJB04N65A

Plastic-EncapsulateMOSFETS

文件:539.25 Kbytes Page:2 Pages

ZPSEMI

ZP Semiconductor

ZPSEMI

MOSFET650V,4AN-CHANNEL

FEATURE •RDS(ON),typ.=2.1Ω@VGS=10V •HighCurrentRating •LowerCapacitance •LowerTotalGateChargeMinimizeSwitchingLoss •FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM04N65isavailableinTO220FPackage. APPLICATION •Adaptor •Charger •SMPSStandbyPower

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.97664 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-5-16 18:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ(江苏长电/长晶)
23+
DFN3L(1x0.6)
6000
CJ(江苏长电/长晶)
20+
DFN-3L(1x0.6)
10000
CJ
1912
SOT-89
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
CJ/长电
23+
NA/
12000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
CJ/长电 低压中低压MOS管
22+21+
DFN1006-3L
9700
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
CJ
2023+
SOT-89
55045
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
CJ-长电
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
CJ(江苏长电/长晶)
24+
DFN-3L(1x0.6)
690000
支持实单/只做原装
CJ(江苏长电/长晶)
2112+
DFN1006-3L
105000
10000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
CJ/长电
2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十

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