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P-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-ChannelMOSFET

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WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807

WIINSOK
更新时间:2024-5-24 23:07:01
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