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CEF01N6G	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
BES01N6	InductiveSensors BES517-398-NO-C-05 Basicfeatures Approval/ConformityCE UKCA cULus WEEE BasicstandardIEC60947-5-2	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司
CEB01N6G	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED01N6	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED01N6A	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,1.1A,RDS(ON)=12W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB01N6	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor 文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CEF01N6G产品属性

类型
描述
型号
CEF01N6G
制造商
CET
制造商全称
Chino-Excel Technology
功能描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更新时间：2024-5-15 15:24:00

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CE6232
CE6232，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-8-17
CEM-1212C
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CEM-1205C
CEM-1205C KBS-13DB-4P-2 PKM17EPPH4001-BO 7BB-27-4C PKM17EWH4000 7BB-20-3CL0 7BB-27-3R5 7BB-35-3CL0 7BB-50M-1 PKM24SP-3805 1.30.078.001/0100 1.30.249.002/0000 MSS300R AST1240MLQ MSE14LSU2 PK-27A35WQ PK-27N36WQ PT-1540PQ PT-4175WQ SC250M SW360308-1 SW380408-1 SW230704-1 SW390608
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2019-11-25

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