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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
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C3D10065A	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
C3D10065A	Z-RecTMRectifiersandZero-Recovery짰Rectifiers Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
C3D10065A	3rdGeneration650V,10ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
C3D10065E	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •650-VoltSchottkyRectifier •ZeroReverseRecoveryCurrent •ZeroForwardRecoveryVoltage •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •ExtremelyFastSwitching •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRecti	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
C3D10065E	SiliconCarbideSchottkyDiode 文件：1.09247 Mbytes Page：6 Pages	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商

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更新时间：2024-5-24 17:51:00

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C44UVGT5900T81K电容器
KEMET的电容器在恶劣环境下具有300,000小时的使用寿命
2024-4-8
C3225X7S1H106K250AB
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2023-3-18
C4532X7R1H475KT000N原装贴片电容TDK18138231376
产品等级：优级品封装：SMD 耐压值：50（V）批号：17+ 外形：方块状应用范围：通用允许偏差：±10（%
2019-10-17
C3216X7R1H475KT000N电容4.7UF120650VX7R材质18138231376
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2019-9-21
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2019-9-6
C4532X5R1A476M280KA电容中文资料规格书深圳市凌丰发微电子有限公司
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2019-3-7