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位置：首页 > IC中文资料第3346页 > BZW04-20B

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BZW04-20B

TRANSIL

DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
BZW04-20B

TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
BZW04-20B

TRANSZORB®TransientVoltageSuppressors

FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BZW04-20B

GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability

MDEMDE semiconductor

MDE半导体公司

MDE
BZW04-20B

TransientVoltageSuppressors

FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresist

TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd

泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司

TAYCHIPST
BZW04-20B

TransientVoltageSuppressor

BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
BZW04-20B

TRANSIL

DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
BZW04-20B

Voltageregulatordides

FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W(10/1000µs) ■STAND-OFFVOLTAGERANGE:From5.8Vto376V ■UNIANDBIDIRECTIONALTYPES ■LOWCLAMPINGFACTOR ■FASTRESPONSETIME ■ULRECOGNIZED

TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd

泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司

TAYCHIPST
BZW04-20B

400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes

Features ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-STD-19500 ◇400Wsurgecapabilityat10x1000uswaveform, ◇Excellentclampingcapability ◇Lowimpedancesurgeresistance ◇VeryfastresponsetimeV ◇Typic

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BZW04-20B

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向 包装：卷带（TR） 描述：TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO204AL 电路保护 TVS - 二极管

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation
BZW04-20B

TransientVoltageSuppressor

文件：209.54 Kbytes Page：6 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
BZW04-20B

GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages

MDEMDE semiconductor

MDE半导体公司

MDE
BZW04-20B

MINITYPELEDLAMPS

文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages

DBLECTRODB Lectro Inc

迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司

DBLECTRO
BZW04-20B B0G

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向 包装：散装 描述：TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO204AL 电路保护 TVS - 二极管

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation
BZG04-20

Transientvoltagesuppressordiodes

DESCRIPTION DO-214ACsurfacemountablepackagewithglasspassivatedchip.Thewell-definedvoid-freecaseisofatransfer-mouldedthermo-settingplastic. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellentstability •UL94V-Oclassifiedplas

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BZG04-20

3W20VZenerdiode

文件：378.43 Kbytes Page：2 Pages

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE
BZG04-20

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

文件：378.422 Kbytes Page：2 Pages

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE
BZG04-20

ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification

文件：83.49 Kbytes Page：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BZG04-20

ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification

文件：184.23 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

BZW04-20B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BZW04-20B

  • 功能描述

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 20V 400W 5% Bidir

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 极性

    Bidirectional

  • 击穿电压

    58.9 V

  • 钳位电压

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流

    38.8 A

  • 封装/箱体

    DO-214AB

  • 最小工作温度

    - 55 C

  • 最大工作温度

    + 150 C

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更新时间：2024-5-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
BZW04-20B-E3/73
VISHAY(威世)
23+
DO41(DO204AL)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司
BZW04-20BHR0G
Taiwan Semiconductor(台湾半导
23+
DO41(DO204AL)
6000
询价
深圳市惊羽科技有限公司
BZW04-20B-E3/54
VISHAY-威世
24+25+/26+27+
DO-204
236148
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市达恩科技有限公司
BZW04-20R0
TaiwanSemiconductor
18+
NA
3366
进口原装正品优势供应QQ3171516190
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深圳市星佑电子有限公司
BZW04-20B
ST
05+
原厂原装
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北京天阳诚业科贸有限公司
BZW04-20-E3/54
VISHAY
23+
NA
200
瞬态抑制二极管
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深圳市永贝尔科技有限公司
BZW04-20B
DBLECTRO
23+
原厂原包
29960
只做进口原装 终端工厂免费送样
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