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BUK6D385-100E

100V,N-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerDFN2020MD-6 (SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •Sidewettableflanksforo

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
更新时间:2024-5-22 19:36:00
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