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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposesw

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

BUK457_600A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK457_600A

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement MOSFET

更新时间:2024-4-27 22:30:00
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