型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BUJ303AD

NPNpowertransistor

Generaldescription Highvoltage,highspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(DPAK)surfacemountableplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Lowthermalresistance •Surfacemountablepackage •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitching

WEENWeEn Semiconductors

瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

WEEN

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 1000V 5A 80W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

WeEn SemiconductorsWeEn Semiconductors Co., Ltd

瑞能瑞能半导体

WeEn Semiconductors

NPNpowertransistor

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PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

SCREWTYPESERIES

文件:310.12 Kbytes Page:1 Pages

DBLECTRODB Lectro Inc

迪贝电子迪贝电子(上海)有限公司

DBLECTRO

Miniature3mmsurfacemountchip-typecermettrimmerpotentiometer

文件:163.09 Kbytes Page:2 Pages

CTSCTS Electronic Components

西迪斯西迪斯公司

CTS

ClampMeter

文件:1.10789 Mbytes Page:24 Pages

FLUKEFluke Corporation

福禄克公司

FLUKE

SilverOxideBatteries

文件:73.69 Kbytes Page:1 Pages

ENERGIZEREnergizer

Energizer

ENERGIZER

75MHZ,3-RDOVERTONEOSCILLATORW/DUALLVCMOS/LVTTLOUTPUTS

文件:140.38 Kbytes Page:10 Pages

ICSTChina Resources Microelectronics Limited Limited

华润微电子华润微电子有限公司

ICST

BUJ303AD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUJ303AD

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN power transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-28 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP/恩智浦
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
NXP/WEEN
16+
TO-220F
8000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NEXPERIA/安世
24+
NA
860000
明嘉莱只做原装正品现货
NXP/恩智浦
23+
NA/
2000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NXP/恩智浦
2022+
TO-252
30000
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十
NXP/恩智浦
22+
TO252
9850
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
NXP/恩智浦
22+
TO-252
8000
原装正品支持实单
NEXPERIA/安世
NA
12000
原装现货,长期供应,终端账期支持
WEEN/NXP
23+
TO-252
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
NEXPERIA/安世
2122+
NA
60000
全新原装正品现货,假一赔十

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