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位置：首页 > IC中文资料第1862页 > BU806

BU806晶体管资料

  • BU806别名：BU806三极管、BU806晶体管、BU806晶体三极管

  • BU806生产厂家：德国电子元件股份公司

  • BU806制作材料：Si-N+Darl

  • BU806性质：功率放大 （L）

  • BU806封装形式：直插封装

  • BU806极限工作电压：400V

  • BU806最大电流允许值：8A

  • BU806最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BU806引脚数：3

  • BU806最大耗散功率：60W

  • BU806放大倍数：

  • BU806图片代号：B-89

  • BU806vtest：400

  • BU806htest：999900

  • BU806atest：8

  • BU806wtest：60

  • BU806代换 BU806用什么型号代替：BU184,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BU806

POWERTRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
BU806

8.0AMPEREDARLINGTONNPNPOWERTRANSISTORS60WATTS200VOLTS

ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage:VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB •Da

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
BU806

MEDIUMVOLTAGENPNFASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
BU806

HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor

HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor •UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays •BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
BU806

FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTOR

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
BU806

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BU806

MEDIUMVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor

DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

TGS
BU806

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BU806

NPNDarlingtonPowerTransistor

ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage: VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BU806

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialplanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationmountedin aTO-220plasticpackage. Theyarehighvoltage,highcurrentdevicesforfastswitchingapplications. CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BU806

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BU806

FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
BU806

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN DARL 200V 8A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
BU806

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN DARL 200V 8A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BU806

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORv

文件：347.35 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BU806

SEMICONDUCTORS

文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
BU806_V01

FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
BU806FI

FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
806A

AudioBroadcastQuality800ASeries

Features Deep-drawnsteelcasewithtinplatedfinish,withtwoconvenient6-32mountingstuds withhardware. Includeswireleads(minimumlengthof4). Frequencyresponse+/-0.5dbmax.from50Hz.to15Khz. Insertionlossofapx.1db. Maximumpowerlevel+15dbm.(except841A,842A&84

HAMMOND

Hammond Manufacturing Ltd.

HAMMOND
806

LowVoltageandPowerApplications

文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
806R

3VSupervisorwithBatterySwitchover

文件：657.19 Kbytes Page：32 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
806S

3VSupervisorwithBatterySwitchover

文件：657.19 Kbytes Page：32 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
806T

3VSupervisorwithBatterySwitchover

文件：657.19 Kbytes Page：32 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

BU806产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BU806

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Darlington

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

BU806供应商更多...

更新时间：2024-5-19 21:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市昌和盛利电子有限公司
BU806
STE
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ST/意法半导体
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