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LowVCE(sat)PNPEpitaxialPlanarTransistor

Features •ExcellentDCcurrentgaincharacteristics •LowSaturationVoltage VCE(sat)=-0.25V(typ)(IC=-2A,IB=-100mA). •ComplementarytoBTD2150N3 •Pb-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC

LowVCE(sat)PNPEpitaxialPlanarTransistor

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CYSTEKEC
更新时间:2024-4-26 17:36:01
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