BSZ100N03L价格

参考价格:¥1.8685

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS??Power-MOSFET

文件:339.8 Kbytes Page:9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

30VN-ChannelPower

Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.8mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.4mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances

UMWUMW

友台友台半导体

UMW

N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET

Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.62203 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

90A竊?0VN-CHANNELMOSFET

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KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

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FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

BSZ100N03L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSZ100N03L

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS 3 M-Series

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-21 22:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
PG-TSDSON-8
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
INFINEO
2020+
SOP
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
INFINTON
1712+
DFN
29403
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十
Infineon/英飞凌
21+
PG-TSDSON-8
8800
公司只作原装正品
Infineon(英飞凌)
23+
TSDSON-8(3
11318
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
Infineon(英飞凌)
23+
TDSON-8
16316
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
INFINEON/英飞凌
2022
PG-TSDSON-8
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
Infineon/英飞凌
23+
PG-TSDSON-8
25630
原装正品
英飞凌
报价为准
INF
5000
国外订货7-10个工作日
Infineon/Infineon Technologies
TSDSON-8
130
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

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