型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS??Power-MOSFET

Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET

Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

MOSFET??Power,Single,N-Channel,Cool,UDFN6,1.6x1.6x0.55mm30V,18m,6.9A

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MOSFET??Power,Single,N-Channel,Cool,UDFN6,1.6x1.6x0.55mm30V,18m,6.9A

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

4VDriveNchMOSFET

文件:68.55 Kbytes Page:4 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

BSC030N03LS_G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSC030N03LS_G

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-28 11:59:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原装INFINEON
22+
QFN-8
9000
绝对全新原装现货
INFINEON
20+/21+
TDSON-8
15000
全新原装现货
2018+
SMD
5500
一级代理原装现货假一罚十
INFINEON/英飞凌
DFN-85X6
23+
8000
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
23+
N/A
90250
正品授权货源可靠
INFINEON/英飞凌
2022+
5000
6600
只做原装,假一罚十,长期供货。
INFINEON
22+
PG-TDSON-8
25000
只有原装绝对原装,支持BOM配单!
INFINEON
2022+
SON-8
57550
INFINEON/英飞凌
22+
TDSON-8
25800
原装正品支持实单
INFINEON
2019
TDSON-8
55000
原装进口假一罚十

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